Рассматриваются
основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы,
обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в
объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области
пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно
представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров,
лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и
фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах
GaAs, GaN, SiC.
Рассмотрены характеристики полупроводниковых
приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла,
микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
Добавлены
разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения,
дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой
подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных
батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов
при высоких температурах.
Автор: Гуртов В.А. Издательство: Техносфера Серия: Мир электроники Страниц: 478 Формат: PDF Язык: Русский Размер: 14.96 Mb
